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第二步对led芯片做好仔细检查(vc)和粘贴外包装

12019-11-19 10:15

文章摘要:

Marvell可提供基于88EM8081驱动芯片的Turn-key设计方案的完整设计和生产资料包,具体包括:-完整的生产资料包。4动态damping电阻功能实现前文提到需要在EMI电感与反激电容间加一个damping电阻来防止LC振荡。LED芯片为什么要分成诸如8mil、9mil、…,13∽22mil,40mil等不同尺寸尺寸大小对LED光电性能有哪些影响LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。LED芯片的制造工艺流程:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。不过要注意,当频率降低时,为了得到相同的负载能力,峰值电流必然要变大或者电感也变大,这都有可能导致电感进入饱和区域。所以说,在设计前,合理的计算是必须的,如果理论计算的参数和调试参数差的有点远,要考虑是否降频和变压器是否饱和。比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良,欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。(C)封装层面:必须把大电流产生的热量有效的散掉。也节省了月产200kk的350mA驱动的芯片的外延生长和芯片工艺的原材料费用。3维垂直结构的LED芯片在把大电流引入芯片方面具有优势。对于上面的例子,这相当于:大电流驱动的芯片的每lm光通量的成本减低到原来的1/3。即缓解了对设备厂商的压力,也缓解了对原材料(包括蓝宝石衬底)的需求。当导通角低于90°时,第4点高于第2点,Q61导通。基于这种闭环策略,提供了一种无电解电容3W球泡灯LED驱动方案,并提供了实验数据和相关波形图。”Turn-key设计方案符合中国LED“国情”#e#Turn-key设计方案符合中国LED“国情”中国有大大小小上万家LED照明企业,但具备设计能力的只占少数,Marvell这种高品质、符合全球法规标准Turn-key设计方案正好满足他们的需求。

Parts:MP2370DJ-LF-Z应用于射灯MR16规格上,DC-DC转换。MP2488DN-LF-Z应用于60VVin内路灯系统,DC-DC转换。MP2483DQ-LF-Z应用于太阳能灯,路灯等,可做升降压转换。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片后,下一步就开始对LED外延片做电极(P极,N极),接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀),制造成芯片后,在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,如图所示:主要对电压、波长、亮度进行测试,能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作,如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片,就放在一边另外处理。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以可以从以下几个方面解决:a:不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。接着使用全自动分类机根据不同的电压,波长,亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。最后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。

2调光的难点与需要解决的问题TRIAC维持导通需要3个条件:触发电流IG、锁定电流IL和Hold电流IH:IG是触发TRIAC导通的条件,只有触发了TRIAC导通,才能使双向可控硅导通。该补偿电路同样适用于其他需要TRIAC调光的芯片。